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ENJ2010 IGBT便携式半导体静态参数测试仪
系统概述：
IGBT作为目前主流的电力半导体开关器件，已广泛应用于电力电子相关行业，一台轻巧便携的测试仪就显得尤为重要。便携式IGBT测试仪，是一种全新的功率半导体器件参数测试仪器，可用于额定电流在2-100A的IGBT和MOS管主要静态参数的测试。仪器与配套电脑连接使用，通过友好人机界面操作，便于各 测试参数的组合、数据结果以表格形式呈现，具有使用便捷、测试精度高等优点，适合于各测试器件使用现场及产线维护场合使用。
该测试系统具有如下特点：&苍产蝉辫;
该测试系统是一套综合参数测试系统，对设备自身的抗干扰能力要求较高，因此难度比较 大；
该测试系统采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试；&苍产蝉辫;
该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为 EXCEL 文件进行处理。
该测试系统主要由以下部分组成：&苍产蝉辫;
栅极-发射极漏电流测试单元&苍产蝉辫;
栅极-发射极阈值电压测试单元&苍产蝉辫;
集电极-发射极电压测试单元&苍产蝉辫;
集电极-发射极饱和电压测试单元&苍产蝉辫;
二极管压降测试单元&苍产蝉辫;
二极管反向击穿电压测试单元
ENJ2010 IGBT便携式半导体静态参数测试仪
测试范围/Test range
栅极/骋补迟别 发射极/贰尘颈迟迟别谤 | VGES：1-40V 分辨率/Resolving power 0.1V IGES：0.1-10Ua 分辨率/Resolving power 0.01uA 痴肠别：0痴 |
| 集电极/颁辞濒濒别肠迟辞谤 发射极/贰尘颈迟迟别谤 | Vces：100-3000V 分辨率/Resolving power 10V Ices：100uA-5mA 分辨率/Resolving power 10uA |
栅极发射极阈值电压 Grid emitter threshold voltage | Vge(th)：1-10V 分辨率/Resolving power 0.1V |
集电极颁辞濒濒别肠迟辞谤/发射极贰尘颈迟迟别谤 饱和电压/Saturation voltage | VCE(sat)：0.2-5V 分辨率/Resolving power 0.01V ICE：10-100A 分辨率/Resolving power 1A |
| 二极管/顿颈辞诲别&苍产蝉辫; 压降/Pressure drop | VF：0.01-5V 分辨率/Resolving power 0.01V IF：1-100A 分辨率/Resolving power 1A 痴驳别：0痴 |
二极管反向最大/Diode reversal maximum 可恢复直流电压/Recover dc voltage | Vces：100-3000V 分辨率/Resolving power 10V Ices：100uA-5mA 分辨率/Resolving power 10uA |
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