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KC3111功率半导体高精度静态特性测试系统（生产端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模块以及车规级模块的新兴要求而进行的一次高标准产物开发。脉冲信号源输出方面，高压源标配2000V（选配3.5KV）
KC3120功率半导体动态参数测试系统可针对各类型 GaN、Si基及SiC基二极管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各项动态参数测试，如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗。
博达微贵厂-笔谤辞半导体参数测试系统是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备，在一个系统中实现了电流电压 (IV) 测试、电容电压 (CV) 测试、脉冲式 IV 测试、任意线性波形发生与测量、高速时域信号釆集以及低频噪声测试能力。
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